ZXMN3F30FH
Typical characteristics
Test circuits
Issue 2 - February 2008
? Zetex Semiconductors plc 2008
6
www.zetex.com
相关PDF资料
ZXMN3F31DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
ZXMN3G32DN8TA MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL
ZXMN4A06GTA MOSFET N-CH 40V 5A SOT223
ZXMN4A06KTC MOSFET N-CHAN 40V 10.9A DPAK
ZXMN6A07FTC MOSFET N-CHAN 60V SOT23-3
ZXMN6A07ZTA MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89
ZXMN6A08E6TC MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT23-6
ZXMN6A08GTA MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
相关代理商/技术参数
ZXMN3F318DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F318DN8TA 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 Asymmetrical dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F31DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3F31DN8TA 功能描述:MOSFET 30V Dual N-channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN3G32DN8 制造商:ZETEX 制造商全称:ZETEX 功能描述:30V SO8 dual N-channel enhancement mode MOSFET
ZXMN3G32DN8TA 功能描述:MOSFET 30V Dual N-Channel Enhance. Mode MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
ZXMN4A06G 制造商:DIODES 制造商全称:Diodes Incorporated 功能描述:40V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
ZXMN4A06GTA 功能描述:MOSFET 40V N-Chnl UMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube